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KC3110功率半導體高精度靜態特性測試系統(實驗室)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。本系統可以在3KV和1000/2000A的條件下實現精確測量和參數分析，漏電流測試分辨率高達fA，電壓測試分阱率最高可這nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。

KC3111功率半導體高精度靜態特性測試系統（生產端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。脈沖信號源輸出方面，高壓源標配2000V（選配3.5KV）

KC3120功率半導體動態參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗。

測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復開啟和關閉引起的反復高溫和低溫，加速芯片內各種組件材料和結合面的熱機械應力，驗證封裝、內部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應力能力。IOL間歇壽命試驗系統HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環試驗系統 華科智源-功率循環老化設備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關鍵是控制結溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。

SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000功能及主要參數： 　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時間參數測試。

HUSTEC-DC-2020分立器件測試儀設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補 償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。

MOS管動態參數測試儀ITC57300 ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態參數測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態參數的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態參數測試設備。